1500V 高压 MOS 分立器件 ◆导通电阻低; ◆开关速度快; ◆雪崩耐量高; 了解更多
RC (逆导) IGBT 分立器件 ◆IGBT/FWD集于同一芯片; ◆通态压降低; ◆可靠性高; ◆成本低; 了解更多
M3i-低饱和压降型 IGBT 分立器件 ◆采用Trench+Fieldstop技术; ◆软开通特性,开通 di/dt 小,EMI 低; ◆低饱和压降,导通损耗小; ◆关断拖尾电流小,软关断特性; ◆正温度系数,适合并联; ◆高的短路电流能力(6us以上); ◆开关速度快,开关损耗小; ◆TVj max 达175℃; 了解更多
GTU-快速型 IGBT 分立器件 ◆采用Trench+Fieldstop技术; ◆软开通特性,开通 di/dt 小,EMI 低; ◆关速度快,关损耗小 ◆关断拖尾电流小,软关断特性; ◆正温度系数,适合并联; ◆高的短路电流能力(6us以上); ◆开关速度快,开关损耗小; ◆TVj max 达175℃; 了解更多
应用方案
应用笔记
行业信息
江苏省委常委、统战部部长杨岳一行… 8月7日上午,江苏省委常委、统战部部长杨岳一行莅临宏微科技调研… 2019-08-07 了解更多
常州市市委书记汪泉莅临宏微科技调… 2月16日上午,常州市市委书记汪泉带队来我司调研指导工作,市委常… 2019-02-16 了解更多
常州市市长丁纯莅临宏微科技调研指… 12月25日上午,常州市市长丁纯带队来我司调研指导工作,副市长梁… 2018-12-25 了解更多